mpc5121手记--nand flash控制器
作者:admin 日期:2009-02-17
mpc5121的nand flash控制器可以支持512、2k、4k page大小的nandflash。LPC，nand/PATA共用EMB接口，复用优先的仲裁由EMB仲裁器完成。获得总线仲裁时，他与PATA共享EMB_AD[0..31]，PATA占用EMB_AF[0..15]与EMB_AX[2..0]，nand占用EMB_AD[16..31]。
mpc5121内部有一个4.5K大小的RAM，作为对nand flash进行操作的时候的数据输入/输出接口。该RAM完全模拟一块nand flash的page结构，共分为8个512 Byte 的main section和8个26 byte的 spare section。page大小为2K/4K的nand flash，也是根据这样分区的，2K page的nand flash的main区会被分成4个section，每section 512B，同时spare区也会相应地分成4个section，每个section16B。
打开ECC的情况下，写入操作的时候，现将目标数据写入该RAM。然后设定RBA设定目标section，最后设定FDI位，硬件会计算该section的ECC code，然后连同目标数据一起写入flash page。比如对于2K page的nand，如果RBA=0，则会把RAM中section0/1/2/3写入nand。虽然是一次完成，但是ECC是计算了四次的，每512B一次，也就是，先算section0的ECC，section0写入page main区的头512B，ECC则写入spare区的头16B，再算section1的ECC，section1写入page main区的第二个512B，ECC则写入spare区的第二个16B，如此类推。当然你也可以设RBA=4，这时将会把RAM中section4/5/6/7写入nand。RBA不能等于1/2/3/5/6/7。
读与写类似，也是先设定RBA，设定FDO，数据会从nand flash读出，放到RBA指定的section中。也是先读第一个512B和第一个16B，再第二个512B和第二个16B。用户这时可以从RAM的spare section中读出写入时产生的ECC。写入是产生的ECC只能这样读，因为写入是产生的ECC是不会放入到spare section中的，他们直接被写入flash中。
mpc5121内部有一个4.5K大小的RAM，作为对nand flash进行操作的时候的数据输入/输出接口。该RAM完全模拟一块nand flash的page结构，共分为8个512 Byte 的main section和8个26 byte的 spare section。page大小为2K/4K的nand flash，也是根据这样分区的，2K page的nand flash的main区会被分成4个section，每section 512B，同时spare区也会相应地分成4个section，每个section16B。
打开ECC的情况下，写入操作的时候，现将目标数据写入该RAM。然后设定RBA设定目标section，最后设定FDI位，硬件会计算该section的ECC code，然后连同目标数据一起写入flash page。比如对于2K page的nand，如果RBA=0，则会把RAM中section0/1/2/3写入nand。虽然是一次完成，但是ECC是计算了四次的，每512B一次，也就是，先算section0的ECC，section0写入page main区的头512B，ECC则写入spare区的头16B，再算section1的ECC，section1写入page main区的第二个512B，ECC则写入spare区的第二个16B，如此类推。当然你也可以设RBA=4，这时将会把RAM中section4/5/6/7写入nand。RBA不能等于1/2/3/5/6/7。
读与写类似，也是先设定RBA，设定FDO，数据会从nand flash读出，放到RBA指定的section中。也是先读第一个512B和第一个16B，再第二个512B和第二个16B。用户这时可以从RAM的spare section中读出写入时产生的ECC。写入是产生的ECC只能这样读，因为写入是产生的ECC是不会放入到spare section中的，他们直接被写入flash中。
无题
作者:admin 日期:2009-02-09
[X-node] uC/OS-II v2.70
作者:admin 日期:2009-02-05
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